芯片基本制造工艺，与真空关联密切

芯片制备技术是基于许多制造半导体部件的完整工艺步骤之上的，包括氧化、扩散、离子注入、沉积、光刻和刻蚀等，所有的工艺流程都与真空密切关联。

材料准备

所有制备技术都是以单晶硅(通常为圆柱体)为起点，切割成硅晶圆。如图，业界常用英寸表示晶圆大小(1寸约为25mm)，我们经常听到的8寸代工厂场、12寸代工厂场等所指的都是使用的硅晶圆材料的直径。

硅晶圆

氧化

主要是在硅晶圆的表面形成二氧化硅(SiO2)的工艺。

氧化层为介质，不导电，可作为导电层之间的隔离层

氧化层可以保护其覆盖的材料免受污染

较薄的氧化层(100-1000埃)通常使用干氧化工艺，1埃=0.1纳米

较厚的氧化层(>1000埃)通常使用湿氧化工艺

硅的氧化

扩散

杂质原子由材料表面向材料内部运动的过程。通常发生在高温(800~1400度)。按半导体表面的杂质浓度分为两种基本扩散机制：第一种机制假定整个扩散过程中表面杂质源N0无穷多，此时杂质的分布是扩散时间的函数，这种机制称为无穷源扩散。第二种机制假定初始条件下材料表面的杂质源是有限的，在t=0时的值为N0。随着时间的增加，表面杂质的浓度将减少。NB表示半导体扩散前的杂质浓度。

作为时间的函数的扩散分布